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【从零开始学5G】射频器件产业新机遇

发布时间: 2024-02-20 03:22:11 作者: 电压标
详细介绍

  一部智能手机,通常包含五个部分:射频、基带、电源管理、外设、软件。射频是信息发送和接收的部分;基带是信息处理的部分;电源管理一般是节电的部分,由于手机是能源有限的设备,所以电源管理十分重要;外设包括LCD,键盘,机壳等;软件包括系统、驱动、中间件、应用。在智能手机终端中,最重要的核心就是射频芯片和基带芯片。射频芯片负责射频收发、频率合成、功率放大,基带芯片负责信号处理和协议处理。

  射频,即射频电流,简称RF(Radio Frequency),是一种高频交流变化电磁波,表示可以辐射到空间的电磁频率,频率范围在300KHz~300GHz之间。每秒变化小于1000次的交流电称为低频电流,大于10000次的称为高频电流,而射频就是这样一种高频电流(大于10K)。射频(300K-300G)是高频的较高频段,微波频段(300M-300G)又是射频的较高频段。射频芯片是指将无线电信号通信转换成一定的无线电信号波形,并通过天线谐振发送出去的一个电子元器件,它包括功率放大器(PA)、低噪声放大器和天线开关。射频芯片架构包括接收通道和发射通道两大部分。射频器件是5G产业链短板,5G的发展将逐步推动中高频射频器件的技术进步与市场规模。

  智能手机射频芯片追求最先进、最尖端工艺制程,进入5G时代后,通信频段提高、带宽加大、路径损耗也有所增加,因而对PA支持频段数及发射功率等方面提出了更高的要求,在5G通信核心芯片中,模组化是射频器件重要的发展的新趋势。5G毫米波通信芯片重点分为两大封装技术。一是AiP将天线、射频前端和收发器整合成单一系统级封装,将天线集成到芯片中,其优点是可以简化系统模块设计,有利于小型化、低成本。二是Fan-out/InFO。可整合多芯片、且效能比以载板基础的系统级封装要佳, 衬底损耗更低,电气性能更优秀,外观尺寸更小,热性能更佳,在相同的功率分配下工作时候的温度更低,或者说相同的温度分布时InFO的电路工作速度更快。

  从产业发展格局看,射频PA集中度较高,大者恒大趋势越加明显。代工厂商的出现大幅度的降低了设计厂商进入的门槛,国外头部厂商逐渐退出中低端市场,国内企业纷纷抓住机遇,承接市场。国频公司多为较小的企业,要加强合作、整合优势资源,提升产品的集成度,实现产品综合性能的提升,建立与国际大公司竞争的规模与能力。初创公司只有通过过硬的产品和技术才能从激烈的市场之间的竞争中脱颖而出。此外,通信器件的集成化是大势所趋,为了更好的提高产品的竞争优势,射频前端的模组化是必经之路,然而,射频前端领域技术门槛高,客户与传统射频前端有突出贡献的公司的合作惯性难以打破,对初创公司的生存亦是严峻的考验。

  一是半导体和材料产业基础相对薄弱,对射频器件产业支撑不足。射频器件产业高质量发展的小型化、半导体化及集成化趋势需要半导体和材料技术的支撑。国内的半导体和材料产业基础相对薄弱,对射频器件小型化、半导体化及集成化的发展的新趋势支撑不足。

  二是整体解决方案能力不够,低价竞争难以维持高强度研发。多数企业射频前端产品品类相对较少,细分市场厂商众多且分散,缺乏提供整体解决方案的能力,并且部分企业产品定位不高,仅通过价格战抢夺市场占有率严重压缩了产品利润,导致企业研发投入不足。

  三是高水平专业人才匮乏,互相挖人不利于企业稳定。射频器件的技术突破需要长时间的研发和技术积累,国频器件领域高端专业人才较为短缺,尤其是领军人才更为匮乏,企业间互相挖人现象严重,大幅度的增加企业人力成本,营造了一种浮躁的产业氛围。

  四是产业投资存在过热现象,盲目投资易造成行业资源浪费。投资热潮下,部分企业过度炒作推高了产业泡沫,以夸大宣传等手段获得融资渠道,造成行业参次不齐,部分地方政府和投资机构对产业缺乏合理的规划和引导,很也许会出现低效重复建设,造成行业资源浪费,对行业健康发展产生负面影响。

  五是共性关键技术投入不足,创新资源缺乏整合。创新资源分散,未能有效形成合力。一方面,“产学研用”之间相对独立,未能形成成果转化的有效通路,另一方面,从中试到量产高投入、高风险、低回报的过渡的阶段让很多企业难以跨越。

  一是加强基础研究和原始创新,夯实射频器件产业高质量发展基础。产业的发展有赖于技术的进步,技术的进步必须依靠坚持不懈的基础研究和原始创新。从多维度对高校、科研院所、企业及公共平台的研发工作给予支持,鼓励其深入开展基础研究和前沿关键技术的研究。国频企业唯有通过潜心做好基础研究,锤炼内功,不间断地积累技术和经验,才能夯实基础,实现行业竞争力的提升。

  二是发挥整机带动作用,探索新型IDM发展模式。充分的发挥整机对产业链的带动作用,以产品为导向,以应用为牵引,以资本为纽带,加强射频器件产业链所有的环节的密切合作。推动整机带动下的虚拟IDM发展模式,推动设计、制造、封测企业的深度绑定与融合。

  三是加强人才教育培训,注重人才引进。首先要要加强国内人才教育培训力度,从高校专业教育与企业职业培养等方面提高专业人才水平,与此同时,也要注重海外高水平人才引进,拓宽引进渠道,探索多维度人才政策,既要通过优惠政策措施吸引人才,又要通过良好的产业高质量发展环境留住人才。

  四是围绕5G射频器件产业建设国家级制造业创新中心。既要集聚国内5G射频器件行业创新资源,加强行业前沿和共性研发技术,实现5G射频器件产业共性关键技术的突破;又要打通5G射频器件领域技术产业化链条,促进5G射频器件技术转移扩散和商业化应用,有效解决科学研究与产业化应用脱节的问题,跨越从技术到产业化之间的“死亡之谷”。

  五是合理引导投资布局,促进产业链上下游协同。通过资本的力量带领企业合理地布局,促进产业链上下游企业形成有效合力,避免资源过度分散,并且政府和投资机构在投资和引进5G射频器件重点项目前,委托第三方专业机构对项目进行专业客观评估,避免信息不对称带来的无效低端产能过剩和资源浪费。返回搜狐,查看更加多